氮化镓系半导体发光元件

摘要

本发明系一种氮化镓系化合物半导体发光元件，其课题乃提供呈防止针对在由含有Au膜之金属多层膜所构成之透明电极的Au之扩散的GaN系半导体发光元件。于蓝宝石基板1上，依序层积有GaN缓冲层2，n型GaN接触层3，MQW活性层4，p型GaN接触层5，并于露出有n型GaN接触层3的面，形成有n型垫片电极8，而设置于p型GaN接触层5之上面全体之金属多层膜透明电极6系例如，从p型GaN接触层5侧，由Ni/Au/Ti/Ni所构成，Ti则成为Au之扩散防止金属层，阻止Au之扩散。