非挥发性记忆胞的制作方法

摘要

本发明提供一种制作非挥发性记忆胞之方法，首先提供一基底，其中形成有一沟渠，且沟渠侧壁依序形成有一穿遂氧化层以及一浮置闸极。然后于沟渠内形成一控制闸极，再进行一高密度电浆沉积制程，于控制闸极之顶部表面形成一高密度电浆氧化层。