氮化镓系化合物半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明之目的在于提供一种发光输出高、且激励电压低的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明之氮化镓系化合物半导体发光元件，系在基板上，依序具有由氮化镓系化合物半导体所成之n型半导体层、发光层以及p型半导体层，该n型半导体层及该p型半导体层上分别设置有负极及正极，而该正极为由具有导电性与透光性之氧化物材料所成之发光元件，其特征为：于该p型半导体层与该正极之间存在含有具有Ga-O键及/或N-O键之化合物之层。