非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体，包括基底、主动层、元件隔离层、记忆胞。主动层设置于基底上，且突出基底表面。多数个元件隔离层分别设置于主动层之两侧，且元件隔离层之表面低于主动层之表面。记忆胞包括控制闸极、电荷储存层、顶盖层、源极/汲极区。控制闸极设置于基底上，且跨过主动层。电荷储存层设置于主动层的侧壁上，且位于控制闸极与主动层之间。顶盖层设置于主动层的顶部，且位于控制闸极与主动层之间。源极/汲极区设置于控制闸极两侧的主动层中。