相位变化记忆体装置以及形成该装置之方法

摘要

本发明系关于一种相变化记忆体装置，其包括一插入于一导电元件与一相变化材料之间的电流限制元件。该电流限制元件包括复数个重叠之薄膜图案，该复数个重叠之薄膜图案中的每一者具有一接近该导电元件之各别第一部分及一接近该相变化材料的第二部分。该等第二部分经组态并定尺寸以具有高于该等第一部分的电阻。