避免在ＰＥＣＶＤ制程腔壁上沉积薄膜的设备及方法

摘要

提供处理基材之方法与设备。腔室主体包括腔室底部与具有狭缝阀之侧壁。包括支撑主体之基材支撑件系位于腔室主体中。至少一宽的RF接地片之第一端系耦接于支撑主体而至少一宽的RF接地片之第二端系耦接于腔室底部。至少一延伸杆系沿着支撑主体之周边而配置。该方法包括提供具有狭缝阀与基材支撑件之处理室；提供RF功率给置于基材支撑件上方之分配板；流动气体通过分配板；电浆处理置于基材支撑件上之基材；以及减少邻近狭缝阀处之电浆生成。