快闪记忆元件及其制造方法

摘要

一种形成一半导体元件之方法包括形成一第一导电层于一半导体基板上方。在该第一导电层上方形成一介电层。在该介电层上方形成一具有一第一开口之遮罩图案。对该遮罩图案实施退火，以将该第一开口转换成为一第二开口，第二开口小于该第一开口。使用具有该第二开口之遮罩图案蚀刻该介电层，以形成一暴露该第一导电层之孔。在该介电层上方及在该孔内形成一第二导电层，该第二导电层经由该孔接触该第一导电层。