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Ein Verfahren zum Durchführen von mechano-chemischem Polieren, das als ein primärer Poliervorgang für einen GaAs-Wafer dient, unter Verwendung mechano-chemischer Polierlösung, die außer Wasser Dichlorisocyanursäure, Natriumtripolyphosphat, Natriumsulfat, Natriumcarbonat und kolloides Silica als Bestandteile enthält, schließt die folgenden Schritte ein: Anbringen des Wafers an einer mechano-chemischen Poliervorrichtung; Durchführen von Polieren der ersten Stufe, indem der Poliervorrichtung die Polierlösung mit der ersten Zusammensetzung zugeführt wird, in der außer Wasser 20-31 Gew.-% Natriumtripolyphosphat in den Bestandteilen enthalten sind, und anschließend Durchführen von Polieren der zweiten Stufe, indem der Poliervorrichtung die Polierlösung mit einer zweiten Zusammensetzung zugeführt wird, in der außer Wasser 13-19 Gew.-% Natriumtripolyphosphat in den Bestandteilen enthalten sind.
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