| 摘要 |
Eine Schaltung umfasst mehrere erste MuGFET-Vorrichtungen (214, 216), welche auf ein Substrat aufgebracht sind und ein erstes Leistungsniveau aufweisen. Darüber hinaus sind mehrere zweite MuGFET-Vorrichtungen (230, 232, 240, 242) auf das Substrat aufgebracht und weisen ein zweites Leistungsniveau auf. Die ersten Vorrichtungen und die zweiten Vorrichtungen sind in getrennten Bereichen angeordnet, was eine unterschiedliche Bearbeitung der ersten Vorrichtungen und der zweiten Vorrichtungen ermöglicht, um ihre Leistungseigenschaften einzustellen. Die Schaltung kann ein SRAM sein, welches PULL-Down-Transistoren (214, 216) mit einer höheren Leistung aufweist. |
