发明名称 DUAL METRIC OPC
摘要 A technique for creating mask layout data to print a desired pattern of features via a photolithographic process includes defining one or more subresolution assist features (SRAFs) and performing OPC on printing features and the added SRAF features.
申请公布号 US2008193859(A1) 申请公布日期 2008.08.14
申请号 US20070673511 申请日期 2007.02.09
申请人 HAMOUDA AYMAN YEHIA 发明人 HAMOUDA AYMAN YEHIA
分类号 G03F9/00 主分类号 G03F9/00
代理机构 代理人
主权项
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