研磨晶圆的材料层的方法

摘要

本发明涉及一种研磨晶圆的材料层的方法，具体为研磨半导体晶圆上的材料层至目标厚度的方法。此方法包括：根据标准值、现行化学机械研磨装置的材料移除速率、以及偏差厚度，在由半导体晶圆上的材料层想要移除的厚度的基准上，去计算补偿移除速率，其中，偏差厚度等于使用现行材料移除速率所会达成的材料层的厚度与材料层的目标厚度之间的厚度差。然后，将计算所得的补偿移除速率程序化并放入化学机械研磨装置的控制器内，此化学机械研磨装置则根据计算所得的补偿移除速率来达成所需要的材料层的厚度。本发明所述的方法可用于补偿研磨过度或研磨不足的晶圆，以增进化学机械研磨操作的精确度。

主权项

1. 一种研磨晶圆的材料层的方法，其特征在于所述研磨晶圆的材料层的方法包括下列步骤：决定一个欲从该材料层移除的非补偿厚度；决定一个偏差厚度；决定一个现行移除速率；使用如下公式计算一个补偿移除速率：补偿移除速率＝(非补偿厚度/(非补偿厚度+偏差厚度))×现行移除速率；以及根据该补偿移除速率研磨该材料层。