BiCMOS结构和在BiCMOS工艺中形成基极的方法

摘要

本发明提供了制造具有抬升外部基极的异质结双极晶体管的方法，其中，通过在抬升外部基极上形成硅化物，降低了基极电阻，所述硅化物以自对准的方式向发射极区域延伸。在形成抬升外部基极之后，将硅化物的形成结合到BiCMOS工艺流程中。本发明还提供了一种异质结双极晶体管，其具有抬升外部基极和位于抬升外部基极上的硅化物。在抬升外部基极上的硅化物以自对准的方式向发射极延伸。发射极通过衬垫与硅化物隔开。

主权项

1. 一种结构，包括：基极区，具有位于Si衬底上的单晶体区域和位于所述衬底中的沟槽隔离区域上的多晶体区域；抬升外部基极，位于所述多晶体区域上和部分所述单晶体区域上；硅化物区域，位于所述抬升外部基极上；以及发射极，位于所述单晶体区域上，所述发射极与所述抬升外部基极和所述基极区的多晶体区域隔开并隔离，其中在所述抬升外部基极上的硅化物区域以自对准的方式向所述发射极延伸。