| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括能确认形成在阵列衬底上的电路或电路元件是否正常运行的非接触检测工艺，并通过消除浪费以保持缺陷产品形成，能降低制造成本。利用形成在检验衬底上的初级线圈和形成在阵列衬底上的次级线圈整流和整形由电磁感应产生的电动势，由此将电源电压和驱动信号输送给TFT衬底上的电路或电路元件，以便驱动它。 | ||
| 申请公布号 | CN101241916A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200710308172.5 | 申请日期 | 2002.03.19 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 广木正明;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L27/13(2006.01);G09G3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 魏军 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：形成在具有透明性的衬底上的象素电路、驱动电路和波形整形电路；形成在所述衬底上的用于接收AC信号的线圈，并且其中所述线圈电连接至所述波形整形电路。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||