| 发明名称 | 发光装置 | ||
| 摘要 | 发光装置是包括：作为氮化物半导体基板的GaN基板(1)；在氮化物半导体基板的第(1)主表面一侧的n型Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N层(3)；从氮化物半导体基板看，远离n型Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N层(3)的p型Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N层(5)；位于n型Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N层(3)以及p型Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N层(5)之间的量子井(4)的发光装置。在此发光装置中，氮化物半导体基板的比电阻为0.5Ω·cm以下，向下安装p型Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N层(5)的一侧，从作为和氮化物半导体基板的第(1)主表面相反的一侧的主表面的第(2)主表面(1a)发射光。在氮化物半导体基板的第(2)主表面(1a)上形成槽(80)。由于构造简单，所以能够得到制造容易、在长时间能够安定地得到大的发光效率的发光装置。 | ||
| 申请公布号 | CN100411208C | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200510133870.7 | 申请日期 | 2005.12.19 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 永井阳一;北林弘之;齐藤裕久;池田亚矢子 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1. 一种发光装置，包括：氮化物半导体基板；于所述氮化物半导体基板的第1主表面一侧设置的n型氮化物半导体层；从所述氮化物半导体基板看，位于远离所述n型氮化物半导体层的p型氮化物半导体层；位于所述n型氮化物半导体层以及p型氮化物半导体层之间的发光层，所述氮化物半导体基板的比电阻为0.5Ω·cm以下，将所述P型氮化物半导体层的一侧向下安装，从作为和所述氮化物半导体基板的所述第1主表面相反一侧的主表面的第2主表面发射光，在所述氮化物半导体基板的所述第2主表面形成槽。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||