| 发明名称 | 接触结构及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种接触结构及半导体器件。要提高半导体器件中与各向异性导电膜接触的可靠性，有源矩阵基片上的连接端子(183)的端子部分(182)通过各向异性导电膜(195)电连接到FPC(191)。连接布线(183)在有源矩阵基片上源极/漏极布线的相同工艺中制造，并由金属膜和透明导电膜的叠层膜制成。在具有各向异性导电膜(195)的连接部分中，连接布线(183)的侧面由绝缘材料制成的保护膜(173)覆盖。因此可以避免金属膜被透明导电膜、绝缘底膜以及与之接触的保护膜(173)环绕的部分暴露到空气。 | ||
| 申请公布号 | CN101241886A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200710160398.5 | 申请日期 | 2000.07.24 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01);G02F1/1345(2006.01);G02F1/1362(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种接触结构，包括：第一基板；在所述第一基板上形成的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成的连接布线；覆盖所述栅绝缘膜和所述连接布线的侧面的保护绝缘膜，所述保护绝缘膜有第一接触孔；具有在所述保护绝缘膜上形成的第二接触孔的层间绝缘膜；与所述第一基板相对的第二基板；所述第二基板上配置的布线，以及；各向异性导电膜，用于通过所述第一接触孔和所述第二接触孔电连接所述第二基板的所述布线和所述第一基板的所述连接布线；其中所述连接布线具有渐缩形状；以及其中所述连接布线包括金属膜和所述金属膜上的透明导电膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||