| 发明名称 | 氮化镓层的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及通过能在层中造成拉应力的基体上的氮化镓或镓和其他金属的混合氮化物的无裂纹单晶层，所述基体覆盖一层缓冲层；其中至少一层单晶材料层嵌入氮化镓或镓和其他金属的混合氮化物层中，所述材料的厚度是100－300纳米，优选地200－250纳米，其晶胞参数小于氮化镓或镓和其他金属的混合氮化物的晶胞参数。还涉及这种层的制备方法。以及涉及含有这个层的电子和光电子设备。 | ||
| 申请公布号 | CN101241883A | 申请公布日期 | 2008.08.13 |
| 申请号 | CN200810009979.3 | 申请日期 | 2001.06.08 |
| 申请人 | 法国国家科学研究中心 | 发明人 | F·赛蒙德;J·C·马西斯;N·P·格兰简 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);C30B25/02(2006.01);C30B23/02(2006.01);C30B29/40(2006.01) | 主分类号 | H01L23/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁谋 |
| 主权项 | 1、通过能在层中造成拉应力的基体上的氮化镓或镓和其他金属的混合氮化物的无裂纹单晶层，所述基体覆盖一层缓冲层；所述无裂纹单晶层包括至少一层某一材料的单晶中间层，所述单晶中间层的厚度是100-300纳米，其晶胞参数小于所述无裂纹单晶层的材料的晶胞参数。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||