发明名称 Anordnung und Verfahren zur Erzeugung von Mischlicht
摘要 Die beschriebene Anordnung bzw. das Verfahren betrifft mindestens zwei elektromagnetische Strahlung aussendende Halbleiterbauelemente, deren aussendende elektromagnetische Strahlung sich in unterschiedlichen Wellenlängenbereichen befindet. Die Überlagerung dieser elektromagnetischen Strahlungen aller Halbleiterbauelemente besitzt dabei zumindest einen Anteil im sichtbaren Wellenlängenbereich. Dabei weist mindestens eines der Halbleiterbauelemente ein Lumineszenzkonversionselement im Strahlengang auf. Dieses Halbleiterbauelement besitzt einen Volumenverguss, der sowohl den Halbleiterchip als auch das Lumineszenzkonversionselement vereint. In vorteilhafter Weise ist der Halbleiterchip direkt mit einer Lumineszenzkonversionsschicht beschichtet bzw. abgedeckt. Zur Maximierung der Energieeffizienz weist das Halbleiterbauelement ein spiegelndes Element auf.
申请公布号 DE102007010244(A1) 申请公布日期 2008.08.07
申请号 DE20071010244 申请日期 2007.03.02
申请人 OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 GROETSCH, STEFAN;BOGNER, GEORG;HAHN, BERTHOLD;HAERLE, VOLKER;PETERSEN, KIRSTIN
分类号 H01L33/50 主分类号 H01L33/50
代理机构 代理人
主权项
地址