| 发明名称 | 高压晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的一些实施例提供了高压晶体管以及制造所述高压晶体管的方法。所述高压晶体管包括：半导体基底；器件分隔膜，限定半导体基底中的有源区；栅电极，在半导体基底上沿有源区的中心的部分延伸并同时保持预定宽度；第二阱，在半导体基底中形成在栅电极的两侧，并部分地延伸到器件分隔膜的底表面。在半导体基底中的有源区包括：第一有源区，位于栅电极之下，并将器件分隔膜分开；第二有源区，由第一有源区和器件分隔膜限定。 | ||
| 申请公布号 | CN101236986A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200810009221.X | 申请日期 | 2008.01.29 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 权五谦;金容燦;吴埈锡;金明希;朴惠英 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01);H01L29/10(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;李云霞 |
| 主权项 | 1、一种高压晶体管，包括：半导体基底；器件分隔膜，限定所述半导体基底中的有源区；栅电极，在所述半导体基底上沿所述有源区的中心部分延伸同时保持预定宽度；第二阱，在所述半导体基底中形成在所述栅电极的两侧，并部分地延伸到所述器件分隔膜的底表面，其中，所述半导体基底中的所述有源区包括：第一有源区，位于所述栅电极之下，并将所述器件分隔膜分开；第二有源区，由所述第一有源区和所述器件分隔膜限定。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||