| 发明名称 | 层间绝缘膜、布线结构以及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种低介电常数且不会产生CF<SUB>x</SUB>、SiF<SUB>4</SUB>等气体的、稳定的半导体装置的层间绝缘膜和具备该层间绝缘膜的布线结构。在具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜中，所述层间绝缘膜的有效介电常数为3以下。布线结构具备层间绝缘膜和形成在层间绝缘膜上的接触孔以及被填充在所述接触孔内的金属。所述绝缘膜具备形成在所述基底层上的第1碳氟膜和形成在所述第1碳氟膜上的第2碳氟膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101238555A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200680022317.9 | 申请日期 | 2006.06.20 |
| 申请人 | 国立大学法人东北大学;财团法人国际科学振兴财团 | 发明人 | 大见忠弘 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1.一种层间绝缘膜，是具备形成在基底层上的绝缘膜的层间绝缘膜，其特征在于，有效介电常数为3以下。 | ||
| 地址 | 日本国宫城县 | ||