多晶硅－绝缘层－多晶硅电容和高阻多晶硅器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件的制作方法，晶体管多晶硅栅、PIP电容下极板和高阻多晶硅都在第一层多晶硅上完成，只有PIP电容的上极板是单独的第二层多晶硅。本发明利用PMOS源漏极的P型离子注入和PIP电容下极板的N型离子注入而获得所需的阻值，所以可节约一次离子注入和一次光刻。本发明结构简单，成本低，工艺稳定性好，有益提高产品的成品率。

主权项

1. 一种多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：1)首先，在栅氧化层以后淀积第一层多晶硅层，利用一次光刻形成晶体管栅、PIP电容的下极板以及高阻多晶硅；2)利用PIP电容的下极板和高阻多晶硅共用的光刻板进行一次光刻，然后对两者同时作N型离子注入；3)淀积PIP电容介质层和上极板；4)对整片进行N型离子注入，完成对PIP电容上极板的掺杂；5)利用PIP电容上极板的光刻板进行一次光刻，完成PIP电容的制作；6)进行栅侧墙的淀积与刻蚀；7)最后，利用PMOS器件的源漏极和高阻多晶硅共用的光刻板进行光刻，然后对二者同时作P型离子注入，至此，高阻多晶硅的高阻值通过N型和P型的中和掺杂而形成。