| 发明名称 | 一种在二氧化硅上化学镀Ni－Mo－P的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在二氧化硅(SiO<SUB>2</SUB>)上化学镀Ni－Mo－P的方法，属于化学镀应用领域。本方法首先对基板(SiO<SUB>2</SUB>/Si)进行清洗、偶联、活化等前期处理，然后将基板置于水浴加热的化学镀液中，镀液中发生氧化还原反应，在二氧化硅(SiO<SUB>2</SUB>)表面快速沉积得到Ni－Mo－P膜。采用此工艺制备的Ni－Mo－P膜，表面光亮、致密、平整，与基板结合力强，具有优异的阻挡性能。此方法溶液配制方便，生产步骤简单，成本低廉，是未来集成电路铜互连线阻挡层的较佳选择之一。 | ||
| 申请公布号 | CN101235495A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200810007616.6 | 申请日期 | 2008.03.03 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 杨志刚;刘殿龙 |
| 分类号 | C23C18/31(2006.01);C23C18/18(2006.01) | 主分类号 | C23C18/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 | 代理人 | 马佑平 |
| 主权项 | 1、一种在二氧化硅上化学镀Ni-Mo-P的方法，其特征在于，首先对基板(SiO2/Si)进行清洗、偶联、活化前期处理，然后将基板置于水浴加热的化学镀液中，镀液中发生氧化还原反应，在二氧化硅表面快速沉积得到Ni-Mo-P膜。 | ||
| 地址 | 100084北京市100084－82信箱 | ||