| 发明名称 | 多孔质二氧化硅的制造方法及制造装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供兼有低介电常数和高机械强度、可适用于光机能材料、电子机能材料等的多孔质二氧化硅和多孔质二氧化硅薄膜的制造方法、使用该多孔质二氧化硅薄膜的层间绝缘膜、半导体用材料、半导体装置的制造方法以及用于制造这些的制造装置。将包含烷氧基硅烷类的水解缩合物和表面活性剂的溶液进行干燥获得复合体，依次对该复合体进行紫外线照射处理以及用含有烷基的有机硅化合物进行疏水化处理。如果将上述溶液在基板上干燥形成复合体，则可得到多孔质二氧化硅薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101238556A | 申请公布日期 | 2008.08.06 |
| 申请号 | CN200680028669.5 | 申请日期 | 2006.08.10 |
| 申请人 | 三井化学株式会社 | 发明人 | 村上雅美;大池俊辅;藏野义人;在塚真;和知浩子 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01) | 主分类号 | H01L21/316(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 1.一种多孔质二氧化硅的制造方法，其特征在于，包含：对于将包含烷氧基硅烷类的水解缩合物和表面活性剂的溶液进行干燥得到的复合体照射紫外线的工序；以及，接着用含有烷基的有机硅化合物进行处理的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||