电浆式离子植入中使用改良式遮蔽环的技术

摘要

一种电浆式离子植入中使用改良式遮蔽环的技术，根据本发明一实施例，此技术可为电浆式离子植入的装置及方法，例如，射频电浆掺杂(RF-PLAD)。此装置及方法包括：遮蔽环，其与目标晶圆定位于同一平面上并环绕目标晶圆的周围，其中遮蔽环包括用于定义出至少一个孔的面积的孔定义装置；法拉第杯，其定位于至少一个孔的下方；以及剂量计数电子设备，其连接法拉第杯，以计算离子剂量率。上述至少一个孔的形状可为圆形、弧形、缝状、环状、矩形、三角形或椭圆形中的至少一种。孔定义装置包括矽、碳化矽、碳或石墨中的至少一种。