发明名称 | 电阻式随机存取记忆体 | ||
摘要 | 一种记忆体,其包括第一方向上的多条字元线;第二方向上的多条位元线,每条位元线耦接到至少一条字元线;以及多个记忆元件,每个记忆元件耦接到一条字元线及一条位元线。每个记忆元件包括顶电极,连接到对应的字元线;底电极,连接到对应的位元线;电阻层,在底电极上;以及至少两个独立的衬垫,每个衬垫的两端具有电阻材料,且每个衬垫耦接于顶电极与电阻层之间。 | ||
申请公布号 | TW200832680 | 申请公布日期 | 2008.08.01 |
申请号 | TW096103246 | 申请日期 | 2007.01.29 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖二琨;何家骅;谢光宇 |
分类号 | H01L27/10(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |