发明名称 电阻式随机存取记忆体
摘要 一种记忆体,其包括第一方向上的多条字元线;第二方向上的多条位元线,每条位元线耦接到至少一条字元线;以及多个记忆元件,每个记忆元件耦接到一条字元线及一条位元线。每个记忆元件包括顶电极,连接到对应的字元线;底电极,连接到对应的位元线;电阻层,在底电极上;以及至少两个独立的衬垫,每个衬垫的两端具有电阻材料,且每个衬垫耦接于顶电极与电阻层之间。
申请公布号 TW200832680 申请公布日期 2008.08.01
申请号 TW096103246 申请日期 2007.01.29
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 赖二琨;何家骅;谢光宇
分类号 H01L27/10(2006.01) 主分类号 H01L27/10(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号