发明名称 内埋电子元件结构及其制造方法
摘要 提供一种内埋电子元件结构及其制造方法,其中此内埋电子元件结构包括:下压合层、第一夹制层、介电层、第二夹制层、电子元件、上压合层以及连结栓。第一夹制层设置于下压合层之上。介电层设置于第一夹制层之上。第二夹制层位于介电层之上。电子元件埋设于该介电层之中,且电子元件的下表面与第一夹制层接触,电子元件的上表面与第二夹制层接触。上压合层覆盖于第二夹制层之上。连结栓邻接于电子元件并贯穿介电层,且分别与第一夹制层及第二夹制层连结。
申请公布号 TW200832656 申请公布日期 2008.08.01
申请号 TW096142263 申请日期 2007.11.08
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 史哲坤
分类号 H01L23/492(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L23/492(2006.01)
代理机构 代理人 蔡坤财;李世章
主权项
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号
您可能感兴趣的专利