发明名称 含金属-矽薄膜的循环性化学气相沈积方法
摘要 一种在基材上沉积金属矽氮化物的方法包括:将金属胺化物吸附在热的基材上,吹扫走未吸附的金属胺化物,将具有一个或更多Si-H#sB!3#eB!片段的含矽源和热的基材接触以和吸附的金属胺化物反应,其中的含矽源具有一个或更多的H#sB!3#eB!Si-NR#sP!0#eP!#sB!2#eB!(R#sP!0#eP!=SiH#sB!3#eB!、R、R#sP!1#eP!或R#sP!2#eP!,下面定义的)基团,这些基团选自于一个或多个的:#P 096147308P01.bmp其中,式中的R和R#sP!1#eP!代表脂族基团、典型地具有从2到约10个碳原子,例如支链烷基,在分子式A中带有R和R#sP!1#eP!的环烷基也可被结合到环状基团中,和R#sP!2#eP!代表单键、(CH#sB!2#eB!)#sB!n#eB!、环,或SiH#sB!2#eB!,和吹扫走未反应的含矽源。
申请公布号 TW200831697 申请公布日期 2008.08.01
申请号 TW096147308 申请日期 2007.12.11
申请人 气体产品及化学品股份公司 发明人 雷新建;赫瑞奇 史瑞丹达姆;萧满超;海哲 雷吉那 鲍文;汤玛斯 理查 加分尼
分类号 C23C16/42(2006.01);C23C16/34(2006.01) 主分类号 C23C16/42(2006.01)
代理机构 代理人 陈展俊;林圣富
主权项
地址 美国