快闪记忆体及其记忆单元逻辑状态判断方法

摘要

一种快闪记忆体之记忆单元逻辑状态判断方法，快闪记忆体具有多条字元线及多条位元线。此方法包括，首先，施加一第一电压于记忆单元以得到一单元电流，其中，第一电压随着记忆单元之感测寄生电阻而变化。接着，施加一第二电压于相对应于记忆单元之一参考单元以得到一参考电流。之后，比较单元电流以及参考电流以决定记忆单元之逻辑状态。