包括矽化钴之电晶体闸极，包括该电晶体闸极之半导体装置结构，前驱器结构以及制造其之方法

摘要

本发明揭示一种制造具有包括矽化钴之导电元件的电晶体闸极的方法，其包括使用一牺牲材料作为该电晶体闸极的侧壁间隔体之间的占位体直到已经完成高温制程(例如制造隆起源极区与汲极区)以后为止。此外，本文还揭示具有在其导电元件之中包括矽化钴之电晶体闸极的半导体装置(举例来说，DRAM装置与NAND快闪记忆体装置)，如同在其电晶体闸极之中具有隆起源极区与汲极区以及矽化钴的电晶体。本文还揭示中间半导体装置结构，其包括在侧壁间隔体的上部部分之间具有牺牲材料或间隙之电晶体闸极。