包括矽奈米晶粒之多层结构、太阳能晶胞、非挥发记忆体单元、光感测单元及其制作方法、形成矽奈米晶粒之方法

摘要

本发明系有关于包括矽奈米晶粒之多层结构的制造方法。在一实施例中，此方法包括以下步骤：于一基底上形成一第一导电层，于第一导电层上形成一富矽介电层，至少对富矽介电层进行雷射退火步骤，使富矽激发产生聚集，以于富矽介电层中形成复数个矽奈米晶粒。富矽介电层折射系数大体上为1.47~2.5之富矽氧化层，或折射系数约为1.7~2.5之富矽氮化层，包括矽奈米晶粒之多层结构可用于太阳能晶胞、光侦测器、触控显示器、非挥发记忆体元件之储存节点或液晶显示器。