Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips

摘要

Es wird ein Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Halbleiterkörper mit einer Halbleiterschichtenfolge (10), die einen aktiven Bereich (12) und eine p-leitende Halbleiterschicht (11) aufweist, umfasst. Der aktive Bereich (12) basiert vorzugsweise auf einem Verbindungshalbleiter und ist weiterhin bevorzugt zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen. Auf einer dem aktiven Bereich (12) abgewandten Seite der p-leitenden Halbleiterschicht (11) ist ein nichtmetallischer Anschlussbereich (2) angeordnet, der elektrisch leitend mit der p-leitenden Halbleiterschicht (11) verbunden ist. Der nichtmetallische Anschlussbereich (2) ist für Wasserstoff durchlässig ausgebildet. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips angegeben.