形成在衬底上的半导体结构及其制造方法

摘要

用于将半导体结构从初始衬底转移至基底衬底的方法，包括将具有二氧化硅层的初始衬底结合至为了裂开而被氢注入充分削弱的掺杂硅结构。在裂开之后，掺杂硅层保持为掩埋在掺杂硅层与初始衬底之间的二氧化硅层。将半导体结构形成在外延层中和/或之上，所述外延层设置在形成中间半导体结构的所述掺杂硅层上。将处理手柄临时结合至半导体结构，用于进行支撑。通过机械薄化工艺薄化和去除初始衬底，接着进行利用掩埋的二氧化硅层作为蚀刻终止的化学蚀刻。从掺杂硅层化学地去除二氧化硅层。将基底衬底形成在掺杂硅层上。去除处理手柄，留下设置在基底衬底上的半导体结构。

主权项

1.一种将半导体结构从初始衬底转移至基底衬底的方法，所述方法包括：提供具有蚀刻终止层的初始衬底；在所述蚀刻终止层上提供掺杂硅层；在所述掺杂硅层上形成半导体结构，其中，所述半导体结构、所述掺杂硅层、所述蚀刻终止层、以及所述初始衬底形成半导体处理工艺；利用可移除的支撑结构来支撑所述半导体处理工艺；利用衬底去除工艺来去除所述初始衬底，所述衬底去除工艺去除所述初始衬底直至所述蚀刻终止层；利用化学蚀刻工艺来去除所述蚀刻终止层；以及在所述掺杂硅层上沉积衬底材料以形成基底衬底。