| 发明名称 | 半导体元件和电气设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件和电气设备，该半导体元件(20)具有场效应晶体管(90)、肖特基电极(9a)和多个接合垫(12S、12G)，上述多个接合垫(12S、12G)中至少一个以位于上述肖特基电极(9a)的上方的方式配置。 | ||
| 申请公布号 | CN101233616A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200680027400.5 | 申请日期 | 2006.07.21 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 北畠真;楠本修;内田正雄;山下贤哉 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L27/06(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L29/12(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L29/47(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L29/872(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件，其特征在于，包括：场效应晶体管，该场效应晶体管具有：半导体层、在该半导体层上以包括该半导体层的上面的方式形成的第一导电型的第一源极/漏极区域、在所述半导体层上以包括所述上面和所述第一源极/漏极区域的方式形成的第二导电型区域、在所述半导体层上以包括所述上面和所述第二导电型区域的方式形成的第一导电型的漂移区域、以至少与所述第一源极/漏极区域的所述上面连接的方式设置的第一源/漏电极、以隔着栅极绝缘膜至少与所述第二导电型区域的所述上面相对的方式设置的栅电极、和欧姆连接于所述漂移区域的第二源/漏电极；在所述漂移区域的所述上面，以与该上面形成肖特基结的方式设置的肖特基电极；覆盖设置有所述第一源/漏电极、栅电极和肖特基电极的所述半导体层的上面的层间绝缘膜；和在所述层间绝缘膜之上配设的、与所述第一源/漏电极、栅电极和肖特基电极中的至少一个电连接的多个接合垫，所述多个接合垫中的至少一个以位于所述肖特基电极的上方的方式配设。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||