| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种能够探测从弱光到强光的光的光电转换器件，并且涉及一种光电转换器件，其具有：具有光电转换层的光电二极管；包括晶体管的放大器电路；以及开关，其中，当入射光的强度低于预定强度时，通过所述开关使所述光电二极管和所述放大器电路相互电连接，从而通过所述放大器电路将光电电流放大，以供输出，并且可以通过所述开关使所述光电二极管和部分或全部所述放大器电路电断开，从而按照放大系数降低光电电流，以供输出。根据这样的光电转换器件，能够探测从弱光到强光的光。 | ||
| 申请公布号 | CN101233394A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200680027408.1 | 申请日期 | 2006.07.20 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 西和夫;荒尾达也;广濑笃志;菅原裕辅;楠本直人;山田大干;高桥秀和 |
| 分类号 | G01J1/44(2006.01);H01L31/10(2006.01);H01L27/14(2006.01) | 主分类号 | G01J1/44(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：包括光电转换层的光电二极管；包括晶体管的放大器电路；以及位于所述光电二极管和放大器电路之间的开关，其中，当进入所述光电二极管的光的强度低于预定强度时，使所述光电二极管和放大器电路通过所述开关相互电连接，从而使光电电流通过所述放大器电路放大，以供输出，并且其中，当进入所述光电二极管的光的强度高于预定强度时，所述光电二极管和所述放大器电路的至少一部分通过所述开关电断开，从而使光电电流以降低的放大系数输出。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||