| 发明名称 | SiC器件的可焊接顶层金属 | ||
| 摘要 | 一种碳化硅器件，该器件包括在其表面上的至少一个电源电极、形成在电源电极上的可焊接触点、以及至少一个钝化层，所述钝化层包围可焊接触点但与可焊接触点隔开，从而形成间隙。 | ||
| 申请公布号 | CN101233617A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200580043774.1 | 申请日期 | 2005.10.21 |
| 申请人 | 国际整流器公司 | 发明人 | R·卡尔塔;L·贝莱莫;L·梅林 |
| 分类号 | H01L29/15(2006.01) | 主分类号 | H01L29/15(2006.01) |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周建秋;王凤桐 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，该半导体器件包括：具有顶面的碳化硅衬底；在所述衬底的所述顶面上的至少一个电源电极；在所述衬底的所述顶面上的钝化层，所述钝化层包围所述电源电极的外周边边缘；以及置于所述电源电极顶面的一部分上的可焊接触点，所述可焊接触点与所述钝化层分开一定距离，使所述可焊接触点和所述钝化层的相邻侧面形成延伸到所述电源电极顶面的间隙。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||