发明名称 |
光电子半导体芯片 |
摘要 |
本申请涉及一种光电子半导体芯片(20),在半导体芯片(20)的生长方向(c)上具有以下顺序的区域:用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1);有源区(2),其适合于产生电磁辐射,其中有源区基于六边形的化合物半导体;以及用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3)。此外,本申请还涉及一种具有这种半导体芯片(20)的器件和一种用于制造这种半导体芯片(20)的方法。 |
申请公布号 |
CN101233622A |
申请公布日期 |
2008.07.30 |
申请号 |
CN200680027451.8 |
申请日期 |
2006.07.28 |
申请人 |
奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
发明人 |
亚德里恩·阿夫拉梅斯库;福尔克尔·黑勒;卢茨·赫佩尔;马蒂亚斯·彼得;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;乌韦·施特劳斯 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01);H01S5/343(2006.01);H01S5/34(2006.01) |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01) |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
李德山;李春晖 |
主权项 |
1.一种光电子半导体芯片,朝着半导体芯片(20)的生长方向(c)具有以下顺序的区域:-用于有源区(2)的p掺杂的阻挡层(1),-有源区(2),其适合于产生电磁辐射,其中有源区基于六边形的化合物半导体,以及-用于有源区(2)的n掺杂的阻挡层(3) |
地址 |
德国雷根斯堡 |