| 发明名称 | 制造电子元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在基底表面上制造电子元件的方法，所述电子元件包括，垂直于基底表面的至少两个电功能层，该两个电功能层是以一个位于另一个之上并且至少在表面区域F中重叠的方式设置。在连续工艺期间，该至少两个电功能层直接或间接在基底上构建。以这样的方式构建至少两个电功能层的第一电功能层，以便第一电功能层的平行于基底表面且在基底相对位移方向上的第一长度/宽度尺寸比表面区域F的在相对位移方向上且平行于该基底表面的长度/宽度尺寸长出/宽出5μm，优选长出/宽出1mm。 | ||
| 申请公布号 | CN101233626A | 申请公布日期 | 2008.07.30 |
| 申请号 | CN200680027945.6 | 申请日期 | 2006.07.27 |
| 申请人 | 波利IC有限及两合公司 | 发明人 | A·克诺布洛赫;A·乌尔曼;W·菲克斯;M·韦尔克 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01) | 主分类号 | H01L51/05(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 1.一种在基底(1)的表面上制造电子元件的方法，其中以与所述基底(1)的表面垂直的角度看，所述电子元件具有至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)，所述至少两个电功能层被设置为一个在另一个之上，以便它们至少在表面区域F中重叠，其中使用连续工艺直接或间接在所述基底(1)上构建所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)，并且其中所述基底(1)相对于构建单元移动，其特征在于，a)构建所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)的第一电功能层，以便所述第一电功能层的平行于所述基底(1)表面且在所述基底(1)相对于所述构建单元相对移动方向上的第一长度尺寸(L1)比所述表面区域F的在相对移动方向上且平行于所述基底(1)表面的长度尺寸(LF)长出至少5μm，优选长出大于1mm，和/或在于b)构建所述至少两个电功能层(2、2’、3、3’、4、4’)的第一电功能层，以便所述第一电功能层的平行于所述基底(1)表面且垂直于所述基底(1)的相对移动方向的第一宽度尺寸(B1)相对于所述构建单元比表面区域F的垂直于相对移动方向且平行于所述基底(1)表面的宽度尺寸(BF)宽出至少5μm，优选宽出大于1mm。 | ||
| 地址 | 德国菲尔特 | ||