一种场效应晶体管多层场板器件及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体材料中微波功率器件技术领域，公开了一种制作铝镓氮/氮化镓高电子迁移率场效应晶体管(AlGaN/GaN HEMT)多层场板器件的方法，该方法基于常规的AlGaN/GaN HEMT器件制作工艺，在形成栅金属接触后，先制作栅连接场板，再制作源连接场板，形成AlGaN/GaNHEMT多层场板器件。本发明同时公开了一种AlGaN/GaN HEMT多层场板器件。利用本发明，大大提高了AlGaN/GaN HEMT器件的击穿特性，并有效地抑制了AlGaN/GaN HEMT器件的电流崩塌现象。

主权项

1.一种铝镓氮/氮化镓高电子迁移率场效应晶体管多层场板器件，其特征在于，该器件包括栅极，位于栅极两侧的源极和漏极；其中，栅极、源极和漏极位于衬底材料顶层铝镓氮AlGaN外延层上，源极与AlGaN外延层以及漏极与AlGaN外延层之间通过退火合金形成欧姆接触；形成了栅极、源极和漏极的器件表面淀积氮化硅SiN介质膜，在该层介质膜上蒸发栅连接场板的图形；随后在已经形成的器件表面再次淀积SiN介质膜，在该层介质膜上蒸发源连接场板的图形。