功率半导体器件以及制造功率半导体器件的方法

摘要

具有基本单元阵列的半导体功率开关，其中有源漏极区域(39)内的外周区域(26)在基极－漏极结(18)的外周旁边延伸，外周区域具有比第二漏极层(10)的其余部分更高的掺杂浓度。位于有源漏极区域(39)的中心的中间区域(28)被提供了比第二漏极层(10)的其余部分更低的掺杂浓度。通过在其有源漏极区域(39)中的(24)处扩大电流导电路径，其在开态电阻和击穿电压之间提供了一个改进的折衷方案。在阵列的每个边缘单元的外侧上，栅极电极(32)在基极－源极结和基极－漏极结的外周的(16)和(18)的至少部分之上和之外朝着芯片的相邻边缘延伸。此外，在每个边缘单元的外侧上，第二漏极层(10)包括具有降低的掺杂浓度的区域(27)，其在恰恰相对于芯片的相邻边缘的栅极电极之外延伸。

主权项

1.一种垂直绝缘栅极场效应晶体管半导体器件，包括在半导体材料的芯片中形成的单元阵列，该单元阵列提供有第一表面(2)和与所述第一表面相对的第二表面(4)，并具有第一导电类型的第一和第二叠置漏极层(8，10)，第一漏极层(8)从所述第二表面延伸，第二漏极层(10)具有比所述第一漏极层更低的高掺杂浓度并且延伸到所述第一表面(2)，每个所述单元包括从所述第一表面延伸的所述第一导电类型的源极区域(37)、以及对位于和低于所述第一表面(2)的所述源极区域进行包围的相反导电类型的基极区域(36)，所述基极区域(36)与所述源极区域(37)和漏极层(8，10)分别形成基极-源极结(12)和基极-漏极结(14)，两个结都延伸到所述第一表面从而在那里定义各自的结外周(16，18)，以及通过绝缘层与所述芯片绝缘的栅极电极(32)，其在所述第一表面处的所述基极-源极结和所述基极-漏极结的所述外周(16，18)的至少部分上方的所述第一表面(2)延伸，由此响应于对所述栅极电极(32)施加的栅极电压，在所述源极区域和所述漏极层(8，10)之间的所述基极区域(36)中形成在器件的开状态下的导电沟道，其特征在于，所述第二漏极层(10)包括在所述基极-漏极结的各自外周(18)旁边延伸的外周区域(26)，所述外周区域(26)具有比所述第二漏极层(10)的中间区域(28)更高的掺杂浓度，从而为源极-漏极电流提供比所述中间区域更高导电性路径(24)，所述更高导电性路径在所述基极-漏极结的所述外周(18)旁边延伸。