片上多金属互联层组合天线

摘要

本发明涉及一种集成电路技术领域的片上多金属互联层组合天线，包括：多金属互联层辐射元件、馈电穿孔、短路穿孔、二氧化硅层和硅基片。多金属互联层辐射元件中心与馈电穿孔相连，两端与短路穿孔相连，形成多金属互联层组合天线。本发明因为采用了多层金属互联层组合结构，可以有效地增加片上天线的辐射体积，缩减片上天线的尺寸，增加片上天线的阻抗带宽，显著提高片上天线在无线互联应用的传输增益，并且不占用任何额外的芯片面积。另外，本发明与主流CMOS工艺全面兼容，适用于各种电阻率的硅基片，且不需要额外的阻抗匹配部件；同时也适用于多层低温共烧陶瓷工艺，具有广泛的工艺适应性。

主权项

1.一种片上多金属互联层组合天线，包括：多金属互联层辐射元件(1)、馈电穿孔(2)、短路穿孔(3)、二氧化硅层(4)和硅基片(5)，所述硅基片(5)在最下方，其上方是二氧化硅层(4)，其特征在于，所述二氧化硅层(4)上方是多金属互联层辐射元件(1)、馈电穿孔(2)和短路穿孔(3)，所述多金属互联层辐射元件(1)中心与所述馈电穿孔(2)相连，两端与所述短路穿孔(3)相连。