发明名称 |
基板处理装置及基板处理方法 |
摘要 |
本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法,能简单且高效率地加热绝缘性基板的表面部分且对其进行规定的处理。在基板(10)表面上形成导电薄膜(20),在该导电薄膜(20)上设有电极(30),使该电极(30)和与电源(60)连接的电极(40)为电导通状态,闭合开关(50),对导电薄膜(20)通电,借助此时的电热效果使导电薄膜(20)直接发热并上升到期望温度,将SiH<SUB>4</SUB>气体及B<SUB>2</SUB>H<SUB>6</SUB>气体作为反应气体供给到薄膜(20)表面而堆积Poly-Si。 |
申请公布号 |
CN101226877A |
申请公布日期 |
2008.07.23 |
申请号 |
CN200810002399.1 |
申请日期 |
2008.01.17 |
申请人 |
东京毅力科创株式会社 |
发明人 |
菅原卓也 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/67(2006.01);H01L21/84(2006.01);C23C16/46(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01) |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
1.一种基板处理装置,其特征在于,该基板处理装置具有基板保持部、供电电极与电力供给部件;该基板保持部以绝缘性基板的导电层朝上的状态载置表面形成有导电层的绝缘性基板;该供电电极与上述导电层连接,用于对上述导电层通电来进行加热;该电力供给部件用于通过上述供电电极对上述导电层供电;加热上述绝缘性基板、对该绝缘性基板实施规定的处理。 |
地址 |
日本东京都 |