降低聚光太阳能电池串联电阻阻值的方法及由该方法获得的聚光太阳能电池

摘要

本发明提供一种用于降低具有掺杂半导体材料本体的聚光太阳能电池的串联电阻的方法，使用该方法制造的聚光太阳能电池，具有掺杂半导体材料本体，通过以下步骤：在半导体本体光入射面制作可焊电极导体元件，背面制作可焊电极导体元件，其位置正好为与光入射面电极导体元件错开；背面的其他位置制作铝层作为背面场；在光反射面制作减反射薄膜；电极导体元件金属化烧结；沿半导体材料光入射面、及背面电极导体元件错开位置进行划片；最终形成具有低串联电阻的聚光太阳能电池。

主权项

1.一种用于降低具有掺杂半导体材料本体的聚光太阳能电池的串联电阻阻值的方法，该本体具有两个主要相对面，该两个相对面形成具有一个可焊电极导体元件的光入射面和一个可焊电极导体元件的背面，其中，聚光太阳能电池的光入射面和背面都分别安装有可焊电极导体元件，光入射面以及背面的可焊电极导体元件刚好安置在聚光电池相对应的两侧；该方法包括步骤：a)提供具有p/n节的掺杂半导体本体；b)在掺杂半导体本体光入射面制作可焊电极导体元件，其规格为：可焊电极导体元件宽度0.2mm-0.8mm，可焊电极导体元件长度为与半导体本体的宽度等同，相邻两条可焊电极导体元件之间间隔1.0mm-4mm，相邻两条可焊电极导体元件之间无导体连接；c)在掺杂半导体本体背面制作可焊电极导体元件，其规格为：可焊电极导体元件宽度0.2mm-0.8mm，可焊电极导体元件长度为与半导体本体的宽度等同，相邻两条可焊电极导体元件之间间隔1.0mm-4mm，其位置正好为与光入射面电极导体元件错开，并且保证所有可焊电极导体元件的错开位置均一致；d)在掺杂半导体本体背面的其他位置制作铝层作为背面场；e)在光入射面制作减反射薄膜；f)电极导体元件金属化烧结；g)应用激光划片机沿掺杂半导体材料光入射面可焊电极导体元件及背面可焊电极导体元件错开位置进行划片，最终形成独立的具有低串联电阻的聚光太阳能电池；