存在于硅晶片中的原子空位的定量评价装置和方法

摘要

本发明提供存在于晶片中的原子空位的定量评价装置，其中硅晶片中的原子空位浓度可通过在硅样品的表面形成合理化的薄膜振荡器而被定量评价，而不需要进行例如用于提高浓度的加速处理。该原子空位定量评价装置包括用于向从硅晶片的特定部位切割出的硅样品5施加外部磁场的磁力发生器件2、能够将硅样品5冷却至不高于50K的温度区域的温度控制器件3、用于向硅样品5的表面发出超声波脉冲并将超声波脉冲传播通过所述硅样品5且检测传播的超声波脉冲中声速的变化的器件4。该定量评价装置的特征是，在所述硅样品5的表面上直接形成薄膜振荡器8，所述薄膜振荡器具有能够在上述温度区域内监测硅样品5的膨胀的物理性质，并且具有预定方向的C轴。

主权项

一种用于定量评价存在于硅晶片中的原子空位的装置，其包括用于向从硅晶片的特定部位切割出的硅样品施加外部磁场的磁力发生器件、能够将硅样品冷却至不高于50K的温度区域的温度控制器件、用于向硅样品表面发出超声波脉冲并使发出的超声波脉冲传播进入所述硅样品中且检测传播的超声波脉冲中声速的变化的超声波振荡‑检测器件，其中在所述硅样品的表面上直接形成薄膜换能器，所述薄膜换能器由ZnO或AlN制成，具有以下性质：能够在上述温度区域监测与温度下降有关的硅样品的膨胀，并且具有与硅样品表面呈5‑60°的角度倾斜的C轴。