发明名称 |
Cu掺杂MgB<SUB>2</SUB>超导体及低温快速制备方法 |
摘要 |
本发明属于提出一种Cu掺杂MgB<SUB>2</SUB>超导体及低温快速制备方法。其组成及分子质量比如下:(Mg<SUB>1.1</SUB>B<SUB>2</SUB>)<SUB>1-x</SUB>Cu<SUB>x</SUB>,x=0.01~0.10。制备方法是:将Mg粉、Cu粉和B粉按比例在玛瑙研钵中充分混合,然后在2~10MPa的压力下制成薄片,最后将薄片放入高温差示扫描量热仪或者管式烧结炉进行低温烧结,升温速率10~40℃/min,升至490~600℃后,在此温度保温烧结2~7个小时,然后以10~40℃/min的冷却速度降至室温。结合上文的分析来看,本发明中制备MgB<SUB>2</SUB>超导体的烧结温度低,烧结时间短,从而大大弥补了传统低温烧结法制备MgB<SUB>2</SUB>超导体所需时间长的弊端,而且制备出来的MgB<SUB>2</SUB>超导体具有优良的超导性能。因而这种Cu掺杂烧结的方法是一种非常有潜力的实用生产方法。 |
申请公布号 |
CN101224897A |
申请公布日期 |
2008.07.23 |
申请号 |
CN200710150705.1 |
申请日期 |
2007.12.04 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
刘永长;马宗青;史庆志;赵倩 |
分类号 |
C01B35/04(2006.01);H01B12/00(2006.01) |
主分类号 |
C01B35/04(2006.01) |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 |
代理人 |
王丽 |
主权项 |
1.一种Cu掺杂MgB2超导体,其特征是组成和分子质量如下:(Mg1.1B2)1-xCux,x=0.01~0.10。 |
地址 |
300072天津市南开区卫津路92号天津大学 |