| 发明名称 | 集成热电冷却器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明给出了半导体集成热电器件，利用半导体薄膜和VLSI(超大规模集成)制作工艺形成，具有高密度热电(TE)元件阵列。热电器件可以，例如，单独形成并与半导体芯片键合，也可以集成形成在半导体芯片的无源表面中。 | ||
| 申请公布号 | CN100405624C | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200510082038.9 | 申请日期 | 2005.07.05 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 陈浩;朱兆凡;许履尘 |
| 分类号 | H01L35/00(2006.01);H01L21/70(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L23/38(2006.01);H01L25/00(2006.01) | 主分类号 | H01L35/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种用于制作热电器件的方法，包含：在衬底上形成台阶结构图形，台阶结构由绝缘材料形成；在台阶结构上形成锥形侧壁；在衬底表面和台阶结构之上以共形层的形式形成热电材料的层；由台阶结构的锥形侧壁上的热电材料的层形成热电元件，包含：进行第一倾角注入工艺以便用n型材料掺杂锥形侧壁的第一侧壁上的热电材料，并进行第二倾角注入工艺以便用p型材料掺杂锥形侧壁的第二侧壁上的热电材料，从而每个台阶结构包含形成于其上的一个热电元件对；以及在热电元件之间形成互连。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||