| 发明名称 | 发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光元件及其制造方法，利用该方法能够得到从可见区透过紫外区光的无色透明的导电体，该导电体可用于基板作为垂直结构，可将基板一侧作为取光面。在可控制的气体保护高温炉中设置坩埚(6)，坩埚(6)中装有原料熔液(9)和具有缝隙(8a)的缝模(8)，原料熔液(9)利用毛细管现象连续沿缝隙(8a)上升到熔液表面，通过缝模(8)和坩埚(6)，用EFG法培养截面形状与上述缝模(8)的上面相同的单晶体，如此将原料熔液(9)制造成基板。在该基板上，用MOCVD法生长III-V族、II-VI族、或两者的薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN100405618C | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN03138280.0 | 申请日期 | 2003.05.30 |
| 申请人 | 株式会社光波 | 发明人 | 一之濑升;岛村清史;金子由基夫;恩卡纳西翁·安东尼娅·加西亚·比略拉;青木和夫 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L27/15(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种发光元件，其特征在于：具有β-Ga2O3单晶基板和在所述基板上形成的pn结，所述pn结由在一导电型的所述基板上形成的一导电型的GaN系化合物半导体薄膜和与在所述一导电型的GaN系化合物半导体薄膜上形成的一导电型相对的另一导电型的GaN系化合物半导体薄膜构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||