容器式电容器及形成方法

摘要

本发明包括半导体结构，并且还包括形成多个电容器装置的方法。本发明的示例性方法包括在绝缘性材抖(28)中的开口内形成导电性存储节点材料(60)，以形成导电性容器。形成与这些容器的至少一部分物理接触的保持结构格子(30)，并且随后除去该绝缘性材料(28)以暴露这些容器的外表面。保持结构(30)能够减轻这些容器结构的结构整体性的倾倒或者其它损坏。这些导电性容器对应于第一电容电极。在暴露出这些容器的外侧壁后，在容器内并且沿着暴露的外侧壁形成介电材料(100)。随后，在该介电材料上形成第二电容电极(103)。第一和第二电容电极，连同介电材料一起形成多个电容器装置。

主权项

1.一种形成多个电容器件的方法，包括：提供包括位于衬底上的第一材料的结构；形成位于第一材料的至少一部分上的保持结构；形成延伸到第一材料中的开口；采用第一导电层形成位于这些开口内的导电结构，该导电结构具有沿着第一材料的外侧壁；除去第一材料的至少一些以暴露该导电结构的该外侧壁的至少一部分，该保持结构在除去第一材料期间保持该导电结构；沿该外侧壁的该暴露的部分形成电容器介电材料；在该电容器介电材料上形成第二导电层；并且其中：第一材料包括硼磷硅酸盐玻璃；采用各向同性蚀刻来除去第一材料的至少一些；和该保持结构包括氮化硅和一种材料，该材料在该蚀刻期间对硼磷硅酸盐玻璃比对氮化硅具有增加的选择性。