源晶体管配置和控制方法

摘要

本发明描述了用于减小集成电路内的泄漏和延迟的源晶体管配置。虚拟功率和接地节点被使用堆叠式晶体管配置来支持，所述堆叠式晶体管配置比如为在第一虚拟供应连接和VSS之间以及在第二虚拟供应连接和VDD之间的双晶体管堆叠。响应于所述电路的功率操作模式(例如活动模式、活动－待机模式和深度省电模式)使用不同的电压电平来调制这些堆叠式晶体管的栅极驱动。用于驱动这些源堆叠的部件被描述。在一个实施例中，独立的虚拟节点被适配用于不同类型的电路，比如缓冲器、行地址选通和列地址选通。也描述了其他技术，比如晶体管的方向布置。

主权项

1.一种用于控制在多个功率模式上进行操作的集成电路内的功率的装置，包括：数字逻辑电路的至少一个晶体管；至少一个虚拟供应连接，用于向所述数字逻辑电路的所述晶体管提供VSS或者VDD；至少一个源晶体管，其被耦接在VSS或者VDD和所述虚拟供应连接之间；以及用于响应于选择条件而调制所述源晶体管的栅极的部件。