| 发明名称 | 半导体材料以及采用该半导体材料的半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种容易与金属材料进行欧姆接触的、低电阻的p型ZnS系半导体材料。本发明还提供了一种在玻璃基板等的单晶基板以外的基板上具有低电阻的电极的半导体元件或半导体发光元件。本发明的半导体材料作为发光元件的空穴注入用电极层使用，其结构式为Zn<SUB>(1-α-β-γ)</SUB>Cu<SUB>α</SUB>Mg<SUB>β</SUB>Cd<SUB>γ</SUB>S<SUB>(1-x-y)</SUB>Se<SUB>x</SUB>Te<SUB>y</SUB>(0.004≤α≤0.4，β≤0.2，γ≤0.2，0≤x≤1，0≤y≤0.2，x+y≤1)，在可见区域具有透光性。 | ||
| 申请公布号 | CN100401543C | 申请公布日期 | 2008.07.09 |
| 申请号 | CN200580004088.3 | 申请日期 | 2005.02.03 |
| 申请人 | HOYA株式会社 | 发明人 | 柳田裕昭;川副博司;折田政宽 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄纶伟 |
| 主权项 | 1.一种p型半导体材料，其特征在于，所述p型半导体材料由结构式Zn(1-α-β-γ)CuαAβBγS(1-x-y)SexTey表示，其中，0.004≤α≤0.4，β≤0.2，γ≤0.2，0≤x≤1，0≤y≤0.2，x+y≤1，A、B为从Cd、Hg、碱土类金属中选择的元素。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||