| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置包括：半导体芯片；在所述半导体芯片的表面上形成的电连接用的内部焊盘；在所述半导体芯片上形成的、具有露出所述内部焊盘的开口部的应力缓冲层；形成为覆盖所述内部焊盘的从所述开口部露出的面、所述开口部的内面以及所述应力缓冲层上的所述开口部的周边部的凸块基底层；形成在所述凸块基底层上的、用于与外部电连接的焊料端子；以及形成在所述应力缓冲层上的、包围所述凸块基底层的周围、覆盖所述凸块基底层的侧面的保护层。 | ||
| 申请公布号 | CN101211877A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710161124.8 | 申请日期 | 2007.12.18 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 新开宽之;奥村弘守 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01) | 主分类号 | H01L23/485(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：半导体芯片；在所述半导体芯片的表面上形成的电连接用的内部焊盘；在所述半导体芯片上形成的、具有露出所述内部焊盘的开口部的应力缓冲层；形成为覆盖所述内部焊盘的从所述开口部露出的面、所述开口部的内面以及所述应力缓冲层上的所述开口部的周边部的凸块基底层；形成在所述凸块基底层上的、用于与外部电连接的焊料端子；以及形成在所述应力缓冲层上的、包围所述凸块基底层的周围、覆盖所述凸块基底层的侧面的保护层。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||