| 发明名称 | 集成电路芯片内电容器的放电控制电路 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种集成电路芯片内电容器的放电控制电路，包括用作芯片内电源的电容器及与之并联的MOS管，还包括：放电状态寄存器，用于控制电容器的放电状态；反向器，连接于放电状态寄存器和MOS管的栅极之间，用于控制MOS管的开启从而对电容器放电；电阻，一端接地，一端与MOS管的栅极连接，用于对MOS管的栅极以及对连接于MOS管栅极的电容器放电。本发明提出的集成电路芯片内电容器的放电控制电路，有效地保证了数据时序的简单可靠，同时避免了集成电路芯片的静态功耗，很好地提高了集成电路芯片的工作效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101211907A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200610148353.1 | 申请日期 | 2006.12.29 |
| 申请人 | 上海贝岭股份有限公司;上海贝岭矽创微电子有限公司 | 发明人 | 庄宇;罗鹏 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);H01L27/02(2006.01);H03K17/687(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人 | 黄威;张金海 |
| 主权项 | 1.一种集成电路芯片内电容器的放电控制电路，包括用作芯片内电源的电容器(21)，及与之并联的MOS管(22)，其特征在于，还包括：放电状态寄存器(27)，用于控制电容器(21)的放电状态；反向器(23)，连接于放电状态寄存器(27)和MOS管(22)的栅极之间，用于控制MOS管(22)的开启从而对电容器(21)放电；电阻(24)，一端接地，一端与MOS管(22)的栅极连接，用于对MOS管(22)的栅极以及对连接于MOS管(22)栅极的电容器的放电。 | ||
| 地址 | 200233上海市宜山路810号 | ||